新澳门新葡萄娱乐台积电申请半导体器件及其形成方法专利

　　新澳门新葡萄娱乐台积电申请半导体器件及其形成方法专利金融界 2024 年 7 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示，积体电路制造股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”，公开号 CN3.1，申请日期为 2024 年 3 月。

　　专利摘要显示，一种形成半导体器件的方法包括形成从衬底突出的鳍新澳门新葡萄娱乐，鳍包括位于鳍基部上方的外延堆叠件和位于外延堆叠件上方的硬掩模层，外延堆叠件包括不同材料组成的第一半导体层和第二半导体层，执行第一蚀刻工艺以蚀刻硬掩模层，第一蚀刻工艺包括施加第一蚀刻剂组合，执行第二蚀刻工艺以蚀刻外延堆叠件，第二蚀刻工艺包括施加第二蚀刻剂组合，以及执行第三蚀刻工艺以蚀刻鳍基部，第三蚀刻工艺包括施加第三蚀刻剂组合。第一蚀刻剂组合、第二蚀刻剂组合和第三蚀刻剂组合是彼此不同的。本申请的实施例还提供了半导体器件新澳门新葡萄娱乐新澳门新葡萄娱乐。