新澳门新葡萄娱乐台积电申请形成半导体器件的方法专利将偶极掺杂剂物质从偶极层驱入到

　　新澳门新葡萄娱乐台积电申请形成半导体器件的方法专利将偶极掺杂剂物质从偶极层驱入到底部沟道构件周围的栅极介电层中金融界 2024 年 7 月 11 日消息，天眼查知识产权信息显示新澳门新葡萄娱乐，积体电路制造股份有限公司申请一项名为“形成半导体器件的方法“，公开号 CN8.1，申请日期为 2024 年 3 月。

　　专利摘要显示，提供了形成堆叠多栅极器件的栅极结构的方法。根据本公开的形成半导体器件的方法包括形成栅极介电层以包围底部沟道构件和顶部沟道构件，在栅极介电层上方沉积偶极层，形成伪层，以使得顶部沟道构件设置在伪层的顶表面之上，去除顶部沟道构件周围的偶极层新澳门新葡萄娱乐，在伪层的顶表面上形成自组装单层（SAM），沉积硬掩模层以包围在顶部沟道构件上方新澳门新葡萄娱乐，去除 SAM 和伪层，执行热驱入工艺以将偶极掺杂剂物质从偶极层驱入到底部沟道构件周围的栅极介电层中，去除硬掩模层，以及去除偶极层。