新澳门新葡萄娱乐半导体电子部件及使用该部件的半导体装置制造方法及图纸

　　新澳门新葡萄娱乐半导体电子部件及使用该部件的半导体装置制造方法及图纸本发明专利技术的课题是提供一种能够对应于半导体集成电路的进一步高密度化要求的叠层芯片型半导体电子部件及半导体装置。本发明专利技术提供一种半导体电子部件及使用该部件的半导体装置，该半导体电子部件是第一半导体芯片的电路表面与第二半导体芯片的电路表面相对向设置而成的叠层芯片型半导体电子部件，其特征在于，上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的间隔距离Ｘ为５０μｍ以下，上述第二半导体芯片侧面与上述第一外部电极之间的最短间隔距离Ｙ为１ｍｍ以下。

　　本专利技术涉及叠层芯片型的半导体电子部件及使用该部件的半导体装 置。更详细地，本专利技术涉及能够对应于半导体集成电路的高密度化要求 的半导体电子部件及使用该部件的半导体装置。

　　近年来，随着电子器械的高功能化及小型化的要求，半导体集成电 路的高密度安装技术的开发得到不断推进。作为该安装技术之一，可举 出以正面向下的方式在半导体芯片上安装其他的半导体芯片的叠层芯片型的系统级封装(System-In-Package， SIP)。该结构，由于能够获得薄型 化封装并且在电连接的可靠性方面优异而受到瞩目。在叠层芯片型SiP中，通常，半导体芯片之间的连接，以介有微细 凸块的倒晶封装芯片方式进行。此时，为了确保电连接强度及机械连接 强度，在半导体芯片之间注入密封树脂(底部填充密封(underfill))。但是，在该底部填充密封工序中，会发生下述问题半导体芯片之 间注入的密封树脂溢出而污染下层的半导体芯片表面上设置的外部电 极，不能进行引线接合。因此，上层的半导体芯片的侧面与下层的半导 体芯片上设置的外部电极之间的距离需设置为空出约1.5mm左右。另外， 为了在半导体芯片间注入粘合剂，芯片间隙需至少设置为空出40um左 右，因而，妨碍了半导体集成电路的高密度安装。另一方面，已知有介有各向异性导电膜而一并进行半导体芯片间的 电连接及密封的方法。例如，JP特开昭61-276873号公报(专利文献l) 中，记载有一种含有焊锡粒子的粘合带。在该文献中记载有一种方法， 其通过使该粘合带介于部件之间并进行热压粘合，使两部件的电连接部 之间介有焊锡粒子，并在其他部分上填充树脂成分。另外，JP特许第 3769688号公报(专利文献2)中，记载了一种端子间的连接方法，其使 用含有导电性粒子和在该导电性粒子的熔点下不会完成固化的树脂成分6的导电性粘合剂。但是，通过上述任何方法，也不能在叠层芯片型SiP中实现半导体 集成电路的进一步的高密度化。

　　在该情形下，希望开发出能够对应于半导体集成电路的进一步高密 度化要求的叠层芯片型半导体电子部件及半导体装置。本专利技术人等，针对上述现有技术中的问题进行了锐意研究，其结果 是，成功地将粘合膜熔融时树脂成分的溢出控制在最小限度而一并进行 半导体芯片之间的电连接及密封。由此，能够得到可对应于进一步高密 度化要求的叠层芯片型的半导体电子部件及半导体装置。艮P，本专利技术，提供下述的半导体电子部件及使用该半导体电子部件 的半导体装置。(1) 一种半导体电子部件，其是具有第一半导体芯片和第二半导体 芯片的叠层芯片型半导体电子部件，所述第一半导体芯片具有设置了第 一内部电极和第一外部电极的电路表面，所述第二半导体芯片具有设置 了与上述第一内部电极电连接的第二内部电极的电路表面，且上述第一 半导体芯片的电路表面与上述第二半导体芯片的电路表面相对向设置而 成，其特征在于，在上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的 间隙中填充绝缘性树脂，上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的间隔距离为50u m以下，上述第二半导体芯片侧面与上述第一外部电极之间的最短间隔距离 为lmm以下o(2) —种半导体电子部件，其是具有第一半导体芯片和第二半导体 芯片的叠层芯片型半导体电子部件，所述第一半导体芯片具有设置了第 一内部电极和第一外部电极的电路表面，所述第二半导体芯片具有设置 了与上述第一内部电极电连接的第二内部电极的电路表面，且上述第一 半导体芯片的电路表面与上述第二半导体芯片的电路表面相对向设置而成，其特征在于，在上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的 间隙中填充有绝缘性树脂，上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的间隔距离为25 lim以下，上述第二半导体芯片侧面与上述第一外部电极之间的最短间隔距离为lmm以下。(3) 上述(1)或(2)所述的半导体电子部件，其中，相邻接的上 述第一内部电极之间的最短间隔距离为50um以下。(4) 上述(1) (3)中任一项所述的半导体电子部件，其中，上 述第二半导体芯片设置在上述第一半导体芯片大致中央区域上。(5) 上述(1) ~ (4)中任一项所述的半导体电子部件，其中，上 述第一外部电极设置在上述第一半导体芯片的周缘部上。(6) 上述(1) ~ (5)中任一项所述的半导体电子部件，其中，在 上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间，介有在上述第一内部 电极上及上述第二内部电极上的至少一者上设置的焊锡凸块和含有焊剂 化合物的热固化性粘合膜，使其热熔粘合，由此，上述第一内部电极与 上述第二内部电极之间电连接新澳门新葡萄娱乐，在上述第一半导体芯片与上述第二半导 体芯片之间的间隙中填充上述绝缘性树脂。(7) 上述(6)所述的半导体电子部件，其中，上述热固化性粘合 膜，含有成膜性树脂10 50重量％、固化性树脂30~80重量％及具有焊剂 活性的固化剂1 20重量％。(8) 上述(7)所述的半导体电子部件，其中，上述成膜性树脂是 选自由(甲基)丙烯酸系树脂、苯氧基树脂和聚酰亚胺树脂所组成的组 中的至少一种。(9) 上述(7)或(8)所述的半导体电子部件，其中，上述固化性 树脂为环氧树脂。(10) 上述(7) ~ (9)中任一项所述的半导体电子部件，其中，上 述具有焊剂活性的固化剂，是选自由脂肪族二羧酸、具有羧基和酚性羟 基的化合物所组成的组中的至少一种。(11) 上述(6) (10)中任一项所述的半导体电子部件，其中，上述热固化性粘合膜新澳门新葡萄娱乐，在上述热固化性粘合膜上配置直径500y m的含锡 焊锡球，在比该焊锡球的熔点高3(TC的高温下加热20秒时，用式(I ) 表示的焊锡湿润扩散率为40%以上，焊锡湿润扩散率(％) =XIOO(I) 。(12) 上述(6) (11)中任一项所述的半导体电子部件，其中新澳门新葡萄娱乐， 上述热固化性粘合膜，厚度为100 um时，在223。C时的熔融粘度为 10Pa s 200000Pa s。(13) 上述(1) (5)中任一项所述的半导体电子部件，其中，在 上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间，介有含有焊锡粉与焊 剂化合物的热固化性粘合膜，使其热熔粘合，由此，上述第一内部电极 与上述第二内部电极之间电连接，在上述第一半导体芯片与上述第二半 导体芯片之间的间隙中填充上述绝缘性树脂。(14) 上述(13)所述的半导体电子部件，其中，上述热固化性粘 合膜的焊锡粉以外的构成成分，含有成膜性树脂10 50重量％、固化性 树脂30 80重量％及具有焊剂活性的固化剂1 20重量％。(15) 上述(13)或(14)所述的半导体电子部件，其中，上述热 固化性粘合膜，相对于焊锡粉以外的构成成分的合计100重量份，含有 焊锡粉30 200重量份。(16) 上述(14)或(15)所述的半导体电子部件，其中，上述成 膜性树脂是选自由(甲基)丙烯酸系树脂、苯氧基树脂和聚酰亚胺树脂 所组成的组中的至少一种。(17) 上述(14) (16)中任一项所述的半导体电子部件，其中， 上述固化性树脂是环氧树脂。(18) 上述(14) (17)中任一项所述的半导体电子部件，其中， 上述具有焊剂活性的固化剂是选自由脂肪族二羧酸、具有羧基和酚性羟 基的化合物所组成的组中的至少一种。(19) 上

　　一种半导体电子部件，其是具有第一半导体芯片和第二半导体芯片的叠层芯片型半导体电子部件，所述第一半导体芯片具有设置了第一内部电极和第一外部电极的电路表面，所述第二半导体芯片具有设置了与上述第一内部电极电连接的第二内部电极的电路表面，且上述第一半导体芯片的电路表面与上述第二半导体芯片的电路表面相对向设置而成，其特征在于，在上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的间隙中填充绝缘性树脂，上述第一半导体芯片与上述第二半导体芯片之间的间隔距离为５０μｍ以下，上 述第二半导体芯片侧面与上述第一外部电极之间的最短间隔距离为１ｍｍ以下。