新澳门新葡萄娱乐半导体器件pdf

　　新澳门新葡萄娱乐半导体器件pdf本发明提供一种可靠性高的包括半导体芯片的半导体器件，该半导体芯片装配于固体电解电容器上。一种半导体器件包括：引线)、电源引线)和GND引线)；片状固体电解电容器(25)，装配于岛状物(12)上；半导体芯片(11)，装配于固体电解电容器(25)上，半导体芯片的平面面积小于固体电解电容器(25)的平面面积；连接半导体芯片(11)和固体电解电容器(25)的键合接线)以及连接固体电解电容器(25)和电源引线)或者固体电解电容器(25)和GND引线)的键合接线)，其中至少固体电解电容器(25)的阳极部分(1)与阳极板(7)之间的连接部分和阳极板(7)与键合接线)之间的连接部分在竖直投影时未重叠。

　　1： 一种半导体器件， 包括 ： 引线框， 包括岛状物、 电源引线和 GND 引线 ； 片状固体电解电容器， 装配于所述岛状物上 ； 半导体芯片， 装配于所述固体电解电容器上， 所述半导体芯片的平面面积小于所述固 体电解电容器的平面面积 ； 连接所述半导体芯片和所述固体电解电容器的键合接线 ； 以及 连接所述固体电解电容器和所述电源引线或者所述固体电解电容器和所述 GND 引线 的键合接线， 其中所述半导体器件包括在焊接在所述固体电解电容器的阳极部分上的阳极板与所 述阳极部分之间的连接部分和在所述阳极板与所述键合接线之间的连接部分， 在所述阳极 板与所述阳极部分之间的所述连接部分和在所述阳极板与所述键合接线之间的所述连接 部分在竖直投影时未重叠。2： 一种半导体器件， 包括 ： 引线框， 包括岛状物、 电源引线和 GND 引线 ； 片状固体电解电容器， 装配于所述岛状物上 ； 半导体芯片， 经过基底装配于所述固体电解电容器上， 所述半导体芯片的平面面积小 于所述固体电解电容器的平面面积 ； 经过所述基底连接所述半导体芯片和所述固体电解电容器的键合接线 ； 以及 经过所述基底连接所述固体电解电容器和所述电源引线或者所述固体电解电容器和 所述 GND 引线的键合接线， 其中所述半导体器件包括在焊接在所述固体电解电容器的阳极部分上的阳极板与所 述阳极部分之间的连接部分和在所述基底与所述键合接线之间的连接部分， 在所述阳极板 与所述阳极部分之间的所述连接部分和在所述基底与所述键合接线之间的所述连接部分 在竖直投影时未重叠。3： 根据权利要求 1 或者权利要求 2 所述的半导体器件， 其中所述阳极板的母体材料的 主要成分为铜。

　　本申请基于通过引用将公开内容全部结合于此的、 于 2010 年 8 月 6 日提交的第 号日本专利申请并且要求对该申请的优先权。

　　本发明涉及一种半导体器件并且更具体地涉及一种包括与半导体芯片组合的片 状固体电解电容器的半导体器件。 背景技术 近年来已经公开了若干在包括 LSI 的半导体芯片的接地电路与电源电路之间提 供电容器以稳定地供应电功率的技术。在半导体封装中包括的并且在与包括 LSI 的半导 体芯片的电路接近的位置布置的旁路电容器实现更短的布线长度、 减少的等效串联电感 (ESL) 并且提供高效和稳定操作的 LSI。另外， 通过在半导体封装中装配旁路电容器可以减 少布置于母板上的元件数目。

　　例如在公开号为 的日本待审专利申请中公开了一种包括半导体芯 片、 固体电解电容器和键合接线 示出了如下横截面图， 该横截面图示 出了有关复杂电子部件的一个例子。半导体器件包括布置和附着到半导体芯片 11 上的固 体电解电容器 25。连接半导体芯片 11 和固体电解电容器 25 的技术包括连接阳极焊盘 21 和阴极焊盘 22 的方法和如下方法， 该方法通过键合接线连接通过对形成于绝缘树脂的上 表面中的孔进行导体镀制加工以便到达固体电解电容器 25 的阳极构件来形成的阳极端子 ( 阳极通孔 16) 的端表面与在基底 20 的上表面中形成的焊区 ( 阳极焊盘 21)。另外尽管上 文已经关于阳极部分进行了描述， 但是可以通过类似方法连接固体电解电容器的阴极导电 层。

　　根据在公开号为 的日本待审专利申请中公开的半导体器件， 键合接 线与固体电解电容器的连接位置是在固体电解电容器的阳极构件与通过对孔进行导体镀 制加工来获得的阳极端子之间的连接部分。因此， 键合工具在接线键合时引起的重量或者 振动可能破坏在紧接于接线键合部分下面的片状固体电解电容器的阳极构件与通过导体 镀制来形成的阳极端子之间的连接部分， 这可能引起导电故障。因此存在连接可靠性的问 题。

　　本发明的第一示例方面是一种半导体器件， 该半导体器件包括 ： 引线框， 包括岛状 物、 电源引线和 GND 引线 ； 片状固体电解电容器， 装配于岛状物上 ； 半导体芯片， 装配于固体 电解电容器上， 半导体芯片的平面面积小于固体电解电容器的平面面积 ； 连接半导体芯片和固体电解电容器的键合接线 ； 以及连接固体电解电容器和电源引线或者固体电解电容器 和 GND 引线的键合接线， 其中半导体器件包括在焊接在固体电解电容器的阳极部分上的阳 极板与阳极部分之间的连接部分和在阳极板与键合接线之间的连接部分， 在阳极板与阳极 部分之间的连接部分和在阳极板与键合接线之间的连接部分在竖直投影时未重叠。

　　本发明的第二示例方面是一种半导体器件， 该半导体器件包括 ： 引线框， 包括岛状 物、 电源引线和 GND 引线 ； 片状固体电解电容器， 装配于岛状物上 ； 半导体芯片， 经过基底装 配于固体电解电容器上， 半导体芯片的平面面积小于固体电解电容器的平面面积 ； 经过基 底连接半导体芯片和固体电解电容器的键合接线 ； 以及经过基底连接固体电解电容器和电 源引线或者固体电解电容器和 GND 引线的键合接线， 其中半导体器件包括在焊接在固体电 解电容器的阳极部分上的阳极板与阳极部分之间的连接部分和在基底与键合接线之间的 连接部分， 在阳极板与阳极部分之间的连接部分和在基底与键合接线之间的连接部分在竖 直投影时未重叠。

　　根据本发明， 焊接在固体电解电容器的阳极部分上的阳极板与阳极部分的连接部 分和在阳极板与键合接线之间的连接部分或者在基底与键合接线之间的连接部分在它们 竖直投影时布置于不同位置， 由此能够防止由于键合工具的重量或者振动所引起的影响而 出现连接故障或者导电故障。 根据本发明， 当通过接线键合来连接固体电解电容器的阳极部分和半导体芯片 时， 未紧接于在键合接线与阳极板或者基底之间的连接部分下面提供焊接在固体电解电容 器的阳极部分上的阳极板的连接部分， 这意味着它们在竖直投影时连接于不同位置。这防 止在固体电解电容器的阳极部分与阳极板之间的连接部分损坏 ( 该损坏引起导电故障 ) 并 且实现制造可靠性高的半导体器件。

　　从下文给出的具体描述和仅通过示例给出、 因此并不视为限制本发明的附图中将 变得更完全理解本发明的上述和目的、 特征及优点。

　　附图说明 图 1 是示出了根据本发明一个示例实施例和第一例子的半导体器件的涂覆树脂 的透视平面图 ；

　　图 2 是沿着根据本发明示例实施例和第一例子的图 1 的线 II-II 截取的示意横截 面图 ；

　　图 5 是从根据本发明第二例子的图 4 的 C-C 平面所见的在 C-C 平面与 D-D 平面之 间的基底部分的透视平面图 ；

　　将参照图 1 和图 2 描述根据本发明一个示例实施例的半导体器件。根据本发明示 例实施例的半导体器件 26 包括由片状铝电解电容器形成的固体电解电容器 25、 引线 和键合接线。例如 QFP 型引线( 包 括装配于其上的固体电解电容器 25)、 电源引线 和 GND 引线 装配于 固体电解电容器 25 上而基底和金属箔 9 按照需要插入于其间， 并且半导体芯片 11 具有比 固体电解电容器 25 的平面面积更小的平面面积。键合接线 连接固体电解电容器 25 和 半导体芯片 11 以及固体电解电容器 25 与电源引线 或者固体电解电容器 25 和 GND 引线。键合接线 或者焊接到固体电解电容器 25 的阳极部分 1 上的基底。 半导体器件 26 还包括覆盖固体电解电容器 25、 金属箔 9 和半导体芯片 11 的涂覆树脂 15。

　　固体电解电容器 25 包括作为母材的阳极部分 1( 该阳极部分是例如由铝制成的板 状或者箔状阀作用 (valve action) 金属 ) 和在阳极部分 1 中提供的保护带 2( 由此将阳极 与阴极分离并且形成固体电解电容器 25 的基体 )。在固体电解电容器 25 的阳极部分 1 中 提供保护带 2。导电聚合物层 4 形成于由保护带 2 分离的电介质氧化物涂覆层 3 上， 并且向 其涂敫石墨层 5 和银膏层 6 并且进行固化， 由此形成固体电解电容器 25 的阴极部分。

　　将阳极板 7 焊接到固体电解电容器的阳极部分 1 的方法可以包括超声焊接、 电阻 焊接和激光焊接并且由于超声焊接的生产效率优良、 焊接设备运行成本低并且连接可靠性 高而优选为超声焊接。优选地， 阳极板 7 的平面面积的一半至三分之二焊接到阳极部分 1。 这是因为重要的是键合工具在连接键合接线时的直径设置成如下范围， 该范围使得键合接 线 之间的连接部分与阳极板 7 与阳极部分 1 连接的部分在竖直投影时未重叠。 要求阳极板 7 与阳极部分 1 之间的连接部分与阳极板与键合接线之间的连接部分在竖直投 影时未重叠， 并且键合工具的直径中心优选为如下范围的中心， 在该范围中键合接线 之间的连接部分在竖直投影时未重叠。半导体芯片可以装配于固体电 解电容器上而基底插入于其间。在这一情况下， 阳极板的整个平面区域可以连接到阳极部 分。重要的是键合工具在键合接线连接到基底上的阳极焊盘 ( 该阳极焊盘是与键合接线的 连接部分 ) 时的直径与阳极板与阳极部分之间的连接部分在竖直投影时未重叠。要求阳极 板与阳极部分之间的连接部分和基底与键合接线之间的连接部分在竖直投影时未重叠并 且键合工具的直径中心优选为如下范围的中心， 在该范围中基底的阳极焊盘和阳极板与阳 极部分之间的连接部分在竖直投影时未重叠。

　　金属箔 9 在需要时使用银导电粘合剂 8 来连接到固体电解电容器 25， 从而在紧接 于半导体芯片 11 的连接接线键合的部分下面的部分中提供金属箔 9。

　　焊接在固体电解电容器 25 的阳极部分 1 上的阳极板 7 和主要在阴极部分上提供 的金属箔 9 可以由铜、 铜合金、 银、 银合金、 金、 金合金、 铝、 铝合金等制成或者可以是使用这 些材料之一作为母材对其进行镀镍或者镀金的。包括镀制部分的厚度优选为从 20μm 至 78μm。铜母材由于它的导电率高而优选加以使用。取而代之， 可以使用通过向基底的两个 表面涂敷金属箔来获得的材料， 例如镀铜的印刷板。这也可以用作在固体电解电容器上提 供的基底。在这一情况下， 印刷板的基材可以是双马来酰亚胺三嗪树脂、 玻璃环氧树脂、 玻 璃聚酰亚胺树脂、 液晶聚合物等。优选的是玻璃环氧树脂由于它的广泛适用性、 易于加工、 线性膨胀系数而选为基材， 基材的厚度约为 60μm， 向基材的两个表面涂敷的铜箔为无氧铜， 并且它的厚度 ( 包括镀制厚度 ) 约为 43μm。

　　随后通过非导电粘合剂 10 在岛状物 12 上装配固体电解电容器 25。 另外使用非导 电粘合剂 10 在固体电解电容器 25 上的金属箔 9 或者基底上装配半导体芯片 11。然后在焊 接在固体电解电容器 25 的阳极部分 1 上的阳极板 7 的连接部分和键合接线 的连接部分 竖直投影时在不同位置直接由接线 ( 比如金键合接线) 或者通过基底键合焊接在固体电 解电容器 25 的阳极部分 11 上的阳极板 7 和半导体芯片 11 的阳极部分。金属箔 9 或者基 底和半导体芯片 11 的阴极部分通过接线键合 ( 例如由金键合接线) 连接， 随后由涂覆树 脂 15 涂覆。

　　根据在固体电解电容器 25 与岛状物 12 之间的连接可靠性， 银导电粘合剂 8 在固 体电解电容器 25 未由涂覆树脂 15a 涂覆时用作粘合剂新澳门新葡萄娱乐， 而非导电粘合剂 10 在仅固体电解 电容器 25 由涂覆树脂 15a 涂覆时用作粘合剂。

　　尽管根据上述示例实施例的固体电解电容器 25 具有一个阳极部分和一个阴极部 分这两个端子， 但是根据本发明固体电解电容器 25 可以具有两个阳极部分和一个阴极部 分这三个端子。

　　根据第一例子的半导体器件的涂覆树脂的透视平面图对应于上文已经描述的图 1。沿着在根据第一例子的半导体器件的图 1 中的线 II-II 截取的示意横截面结构对应于 在示例实施例中描述的图 2。将参照图 1 和图 2 描述第一例子。

　　首先作为商业上可获得的用于铝电解电容器的粗糙化 ( 蚀刻 ) 铝形成箔， 选择厚 度为 80μm、 每平方厘米的电容为 118μF、 在形成电介质时的形成电压为 9V 的箔并且对该 箔进行冲孔以具有电容器元件的形状。接着为了将阳极与阴极分离， 通过丝网印刷方法来 加工环氧树脂以形成宽度为 0.8mm 而厚度为 20μm 的保护带 2。使铝形成箔在脂肪酸水合 溶液中受到化学转换， 由此形成电介质氧化物涂覆层 3。随后使用吡咯作为单体， 过硫酸铵 作为氧化剂而 p- 甲苯磺酸作为掺杂剂来进行化学氧化聚合， 由此在阴极形成区中在电介 质氧化物膜上形成导电聚合物层 4。通过丝网印刷方法向其涂敷石墨层 5 并且固化该石墨 层以具有 30μm 的厚度。随后通过丝网印刷方法向石墨层 5 上涂敷银膏层 6 并且固化该银 膏层以具有 50μm 的厚度。使用 YAG 激光来曝光阳极部分 1 的阳极， 并且通过超声焊接将 这一阳极焊接到铜母材的阳极板 7， 其中进行厚度为 15μm 的镀铜、 厚度为 3μm 的镀镍和厚 度为 0.1μm 的镀金。阳极板 7 的平面面积的三分之二焊接到阳极部分 1。

　　接着通过分配器向固体电解电容器 25 的阴极部分的银膏层 6 涂敷银导电粘合剂 8， 随后通过对其进行镀镍和镀金的无氧铜母材来装配和固化长度为 2.0mm、 宽度为 1.0mm 而厚度为 43μm 的金属箔 9。另外， 除了通过接线键合来连接到金键合接线 的一侧之外， 使用涂覆树脂 15a 通过传送模制来涂覆固体电解电容器 25。

　　接着通过分配器向由 42 合金制成的 QFP 型引线 施加主要成分 为环氧树脂的非导电粘合剂 10， 并且以涂覆树脂 15a 的表面为下表面装配和固化固体电解 电容器 25。

　　成分为环氧树脂的非导电粘合剂 10， 并且在其上装配半导体芯片 11。然后阳极板 7 的端部 的三分之一部分 ( 在焊接在固体电解电容器 25 的阳极部分 1 上的阳极板 7 竖直投影时不 同于与阳极部分的连接部分 ) 和半导体芯片 11 的阳极部分 1 通过接线键合由金键合接线 连接。另外， 金属箔 9 和半导体芯片 11 的阴极部分通过接线键合由金键合接线 连接。

　　另外， 阳极板 7 的端部的三分之一部分 ( 在焊接在固体电解电容器 25 的阳极部分 1 上的阳极板 7 竖直投影时不同于与阳极部分的连接部分 ) 和 QFP 型引线 的电源引线 通过接线键合由金键合接线 连接， 并且金属箔 9 和 QFP 型引线 的 GND 引线 通 过接线键合由金键合接线 连接。

　　在固体电解电容器与接线键合的连接状态方面检验这样获得的十个半导体器件 26， 并且对具有连接故障的器件的数目进行计数。表 1 示出了结果。器件使用传送模制由 涂覆树脂 15 涂覆， 由此获得半导体器件 26。测试十个完成的半导体器件 26 的操作以检验 是否存在固体电解电容器 25 的损坏。表 1 示出了结果。

　　在表 1 中所示结果中， 在固体电解电容器与接线键合之间的连接故障这一连接状 态意味着如下情况， 在该情况下半导体芯片 11 的阳极部分和阴极部分、 QFP 型引线 的 GND 引线 和电源引线 中的通过接线 键合的连接部分中的任一个未连接或者断开。在固体电解电容器的阳极部分 1 与阳极板 7 之间的连接故障这一连接状态意味着如下情况， 在该情况下在通过超声焊接来焊接的固体 电解电容器的阳极部分 1 与阳极板 7 之间的连接部分损坏并且剥落或者裂开。另外半导体 器件 26 的操作故障意味着半导体芯片 11 操作而无嵌入于半导体器件 26 中的固体电解电 容器 25 所给予的效果这样的情况以及半导体芯片 11 未操作这样的情况。 ( 第二例子 )

　　将参照图 3、 图 4 和图 5 描述第二例子。固体电解电容器 25 的制造工艺除了阳极 板的连接之外类似于在第一例子中描述的制造工艺。通过超声焊接向固体电解电容器 25 的阳极部分 1 焊接对其进行厚度为 15μm 的镀铜、 厚度为 3μm 的镀镍和厚度为 0.1μm 的 镀金的由铜母材制成的阳极板 7。阳极板 7 的平面区域的整个表面焊接到阳极部分 1。

　　接着基底 20 装配于固体电解电容器 25 上而不是第一例子中使用的金属箔上， 并 且由环氧树脂制成的具有铜板的双面印刷板用作基底 20。由铜母材制成的阳极装配部分 18 和阴极装配部分 19 被提供于基底 20 的装配有固体电解电容器 25 的表面上， 由此经过穿 透环氧树脂的阳极通孔 16 和阴极通孔 17 电连接到两个阳极焊盘 21 和两个阴极焊盘 22， 这 些焊盘用于在装配半导体芯片 11 的一侧中的接线 包括紧接于半导体 芯片 11 的连接有接线键合的位置下面的四个金属箔 9a， 并且除了阳极焊盘 21 和阴极焊盘 22 之外的部分由阻焊剂 27 覆盖。基底具有 4.5mm 的长度和 1.6mm 的宽度。厚度为 35μm 的无氧铜箔布置于由玻璃环氧树脂制成并且厚度为 60μm 的基材的两个表面中。然后进行 厚度为 3μm 的镀镍和厚度为 0.1μm 的镀金， 由此获得基底 20。通过丝网印刷方法向基底 20 上的装配有固体电解电容器 25 的表面施加银导电粘合剂 8 以具有 50μm 的厚度， 并且装 配和固化固体电解电容器 25 的焊接有阳极板 7 的一侧。另外除了用于在装配半导体芯片 11 的一侧中的接线 之外， 固体电解电容器 25 使 用传送模制由涂覆树脂 15a 涂覆。

　　为环氧树脂的非导电粘合剂 10， 并且以涂覆树脂 15a 的表面为下表面装配和固化固体电解 电容器 25。

　　另外使用主要成分为环氧树脂的非导电粘合剂 10 在基底 20 上装配半导体芯片 11。然后阳极部分 21( 用于固体电解电容器 25 装配于其上的基底 20 的接线键合 ) 和半导 体芯片 11 的阳极部分在阳极焊盘 21 的接线键合部分竖直投影时与固体电解电容器 25 的 阳极板 7 不同的位置 ( 该位置为阳极焊盘 21 的与半导体芯片 11 接近的端部 ) 通过接线键 合由金键合接线 连接。另外阴极焊盘 22( 用于固体电解电容器 25 装配于其上的基底 20 的接线键合 ) 和半导体芯片 11 的阴极部分通过接线键合由金键合接线 连接。另外阳极 焊盘 21( 用于固体电解电容器 25 装配于其上的基底 20 的接线键合 ) 在接线键合部分竖直 投影时与固体电解电容器 25 的阳极板 7 不同的位置 ( 该位置为阳极焊盘 21 的与电源引线 接近的端部 ) 连接到 QFP 型引线 的电源引线( 用于装配有固 体电解电容器 25 的基底 20 的接线键合 ) 通过接线键合由金键合接线 连接到 QFP 型引 线 的 GND 引线。

　　在固体电解电容器与接线键合的连接状态方面检验这样获得的十个半导体器件 26， 并且对具有连接故障的器件的数目进行计数。表 1 示出了结果。器件使用传送模制由 涂覆树脂 15 涂覆， 由此获得半导体器件 26。测试十个完成的半导体器件 26 的操作以检验 是否存在固体电解电容器 25 的损坏。表 1 示出了结果。 在表 1 中所示结果中， 在固体电解电容器与接线键合之间的连接故障这一连接状 态意味着如下情况， 在该情况下半导体芯片 11 的阳极部分和阴极部分、 QFP 型引线 的 GND 引线 和电源引线( 用于在固体电解电容器 25 中使用的基底 20 中的接线键合 ) 中的通过接线键合的连接部分中的任一个未连接或者断 开。在固体电解电容器的阳极部分 1 与阳极板 7 之间的连接故障这一连接状态意味着如下 情况， 在该情况下在通过超声焊接来焊接的固体电解电容器的阳极部分 1 与阳极板 7 之间 的连接部分损坏并且剥落或者裂开。另外半导体器件 26 的操作故障意味着半导体芯片 11 操作而无嵌入于半导体器件 26 中的固体电解电容器 25 所给予的效果这样的情况以及半导 体芯片 11 未操作这样的情况。

　　将参照图 6 和图 7 描述第一比较例子。固体电解电容器 25 的制造工艺除了阳极 板的连接之外类似于在第一例子中描述的制造工艺。由铜母材 ( 其中进行厚度为 15μm 的 镀铜、 厚度为 3μm 的镀镍和厚度为 0.1μm 的镀金 ) 制成的阳极板 7 通过超声焊接来焊接 到固体电解电容器 25 的阳极部分 1。阳极板 7 的平面区域的整个表面焊接到阳极部分 1。

　　接着类似于第一例子， 通过分配器向固体电解电容器 25 的阴极部分的银膏层 6 上施加银导电粘合剂 8， 然后通过对其进行镀镍和镀金的无氧铜母材来装配和固化长度为 2.0mm、 宽度为 1.0mm 而厚度为 43μm 的金属箔 9。另外除了通过接线键合来连接到金键合 接线 的一侧之外， 使用涂覆树脂 15a 通过传送模制来涂覆 固体电解电容器 25。

　　通过分配器向由 42 合金制成的 QFP 型引线 施加主要成分为环 氧树脂的非导电粘合剂 10， 并且以涂覆树脂 15a 的表面为下表面装配和固化固体电解电容 器 25。

　　另外通过分配器向装配于固体电解电容器 25 的阴极部分上的金属箔 9 上施加主 要成分为环氧树脂的非导电粘合剂 10， 并且在其上装配半导体芯片 11。然后焊接在固体电 解电容器 25 的阳极部分 1 上的阳极板 7 和半导体芯片 11 的阳极部分通过接线键合由金键 合接线 连接。在键合接线 之间的连接部分使得固体电解电容器 25 的阳极部 分 1 与阳极板 7 之间的连接部分在竖直投影时紧接于其下面放置。

　　另外， 焊接在固体电解电容器 25 的阳极部分 1 上的阳极板 7 和 QFP 型引线 的电源引线 通过接线键合由金键合接线 的键合接线的连接部分使得 固体电解电容器 25 的阳极部分 1 与阳极板 7 之间的连接部分在竖直投影时紧接于其下面 放置。

　　此后在与第一例子中的条件相同的条件之下完成半导体器件 26。 在固体电解电容 器与接线键合的连接状态方面检验这样获得的十个半导体器件 26， 并且对具有连接故障的 器件的数目进行计数。表 1 示出了结果。器件使用传送模制由涂覆树脂 15 涂覆， 由此获得 半导体器件 26。测试十个完成的半导体器件 26 的操作以检验是否存在固体电解电容器 25 的损坏。表 1 示出了结果。

　　在表 1 中所示结果中， 在固体电解电容器与接线键合之间的连接故障这一连接状 态意味着如下情况， 在该情况下半导体芯片 11 的阳极部分和阴极部分、 QFP 型引线 的 GND 引线 和电源引线 中的通过接线 键合的连接部分中的任一个未连接或者断开。固体电解电容器的阳极部分 1 与阳极板 7 之 间的连接故障这一连接状态意味着如下情况， 在该情况下在通过超声焊接来焊接的固体电 解电容器的阳极部分 1 与阳极板 7 之间的连接部分损坏并且剥落或者裂开。另外半导体器 件 26 的操作故障意味着半导体芯片 11 操作而无嵌入于半导体器件 26 中的固体电解电容 器 25 所给予的效果这样的情况以及半导体芯片 11 未操作这样的情况。

　　将参照图 8 和图 9 描述第二比较例子。如与第二例子类似的那样制造固体电解电 容器 25， 并且在固体电解电容器 25 上装配基底 20。然后向基底 20 的装配有固体电解电容 器 25 的表面施加银导电粘合剂 8， 随后装配和固化固体电解电容器 25 的焊接有阳极板 7 的 一侧。另外除了两个阳极焊盘 21 和两个阴极焊盘 22( 用于在半导体芯片 11 装配于其上的 一侧中的接线键合 ) 之外， 固体电解电容器 25 通过传送模制由涂覆树脂 15a 涂覆。

　　接着通过分配器向由 42 合金制成的 QFP 型引线 施加主要成分 为环氧树脂的非导电粘合剂 10， 并且以涂覆树脂 15a 的表面为下表面装配和固化固体电解 电容器 25。 另外使用主要成分为环氧树脂的非导电粘合剂 10 在基底 20 上装配半导体芯片 11。

　　随后阳极焊盘 21( 用于固体电解电容器 25 装配于其上的基底 20 的接线键合 ) 和 半导体芯片 11 的阳极部分通过接线键合由金键合接线 的接线键合 位置使得在竖直投影时通过银导电粘合剂 8 来与固体电解电容器 25 的阳极装配部分 18 连 接的阳极板 7 紧接于其下面， 这意味着它们在阳极焊盘 21 的中心部分周围由金键合接线 连接。另外， 用于基底 210 的接线 和 QFP 型引线 的电源引线 通 过接线键合由金键合接线 的接线键合位置在竖直投影时紧接于通过 银导电粘合剂 8 来与固体电解电容器 25 的阳极装配部分 18 连接的阳极板 7 下面， 这意味着它们在阳极焊盘 21 的中心部分周围由金键合接线 连接。

　　此后在与第二例子中的条件相同的条件之下完成半导体器件 26。 在固体电解电容 器与接线键合的连接状态方面检验这样获得的十个半导体器件 26， 并且对具有连接故障的 器件的数目进行计数。表 1 示出了结果。器件使用传送模制由涂覆树脂 15 涂覆， 由此获得 半导体器件 26。测试十个完成的半导体器件 26 的操作以检验是否存在固体电解电容器 25 的损坏。表 1 示出了结果。

　　在表 1 中所示结果中， 在固体电解电容器与接线键合之间的连接故障这一连接状 态意味着如下情况， 在该情况下半导体芯片 11 的阳极部分和阴极部分、 QFP 型引线 的 GND 引线 和电源引线( 用于在固体电解电容器 25 中使用的基底 20 中的接线键合 ) 中的通过接线键合的连接部分中的任一个未连接或者断 开。固体电解电容器的阳极部分 1 与阳极板 7 之间的连接故障这一连接状态意味着如下情 况， 在该情况下在通过超声焊接来焊接的固体电解电容器的阳极部分 1 与阳极板 7 之间的 连接部分损坏并且剥落或者裂开。另外半导体器件 26 的操作故障意味着半导体芯片 11 操 作而无嵌入于半导体器件 26 中的固体电解电容器 25 所给予的效果这样的情况以及半导体 芯片 11 未操作这样的情况。

　　在第一例子和第二例子中， 在十个器件之中的十个器件示出了通过在接线键合中 键合接线 中的良好连接状态。另外， 完成的半导体器件的操作检验已 经揭示在十个器件之中的十个器件已经正常操作。因此固体电解电容器 25 的阳极部分与 阳极板的连接状态优良并且连接部分未损坏。

　　电容器 25 之中的四个器件的连接状态优良， 但是其余六个器件具有连接故障。另外， 十个 完成的半导体器件的操作检验已经揭示在十个器件之中的六个器件未操作。 在第二比较例 子中， 在接线键合时添加重量或者影响。在十个固体电解电容器 25 之中的六个器件的导电 状态优良， 而其余四个器件具有连接故障。 另外， 十个完成的半导体器件的操作检验已经揭 示在十个器件之中的四个器件未操作。

　　因此理解虽然键合接线的连接状态优良， 但是固体电解电容器 25 的阳极部分与 阳极板之间的连接由于在接线键合时直接施加的应力而损坏。

　　另外即使在半导体器件以内仍然可以在与半导体芯片的电路更近的部分布置电 容器， 由此能够改进电特性。 第一例子优于第二例子， 因为从固体电解电容器到半导体芯片 的布线长度在第一例子中更短。

　　根据这样描述的本发明将清楚可以用许多方式变化本发明的实施例。 这样的变化 将不视为脱离本发明的精神实质和范围， 并且如本领域技术人员将清楚的所有这样的修改 旨在于包含在所附权利要求的范围内。

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　　2、 本发明提供一种可靠性高的包括半导体芯片 的半导体器件，该半导体芯片装配于固体电解电 容器上。一种半导体器件包括：引线)、电源引线)和GND引线)；片状固 体电解电容器(25)，装配于岛状物(12)上；半导 体芯片(11)，装配于固体电解电容器(25)上，半 导体芯片的平面面积小于固体电解电容器(25) 的平面面积；连接半导体芯片(11)和固体电解电 容器(25)的键合接线)以及连接固体电解电 容器(25)和电源引线)或者固体电解电容器 (25)和GND引线)的键合接线)，其中至 少固体电解电容器(25)的阳极部分(1)与阳极 板(7)。

　　3、之间的连接部分和阳极板(7)与键合接线)之间的连接部分在竖直投影时未重叠。 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 权利要求书 1 页 说明书 9 页 附图 5 页 CN 102437141 A 1/1页 2 1.一种半导体器件，包括： 引线框，包括岛状物、电源引线和GND引线； 片状固体电解电容器，装配于所述岛状物上； 半导体芯片，装配于所述固体电解电容器上，所述半导体芯片的平面面积小于所述固 体电解电容器的平面面积； 连接所述半导体芯片和所述固体电解电容器的键合接线；以及 连接所述固体电解电容器和所述电源引线、体电解电容器和所述GND引线 的键合接线， 其中所述半导体器件包括在焊接在所述固体电解电容器的阳极部分上的阳极板与所 述阳极部分之间的连接部分和在所述阳极板与所述键合接线之间的连接部分，在所述阳极 板与所述阳极部分之间的所述连接部分和在所述阳极板与所述键合接线之间的所述连接 部分在竖直投影时未重叠。 2.一种半导体器件，包括： 引线框，包括岛状物、电源引线和GND引线； 片状固体电解电容器，装配于所述岛状物上； 半导体芯片，经过基底装配于所述固体电解电容器上，所述半导体芯片的平面面积小 于所述固体电解电容器的平面面积； 经过所述基底连接所述半导体芯片和所述固体电解电容器的键合接线、述基底连接所述固体电解电容器和所述电源引线或者所述固体电解电容器和 所述GND引线的键合接线， 其中所述半导体器件包括在焊接在所述固体电解电容器的阳极部分上的阳极板与所 述阳极部分之间的连接部分和在所述基底与所述键合接线之间的连接部分，在所述阳极板 与所述阳极部分之间的所述连接部分和在所述基底与所述键合接线之间的所述连接部分 在竖直投影时未重叠。 3.根据权利要求1或者权利要求2所述的半导体器件，其中所述阳极板的母体材料的 主要成分为铜。 权 利 要 求 书CN 102437133 A CN 102437141 A 1/9页 3 半导体器件 0001 相关申请的交叉引用 0002 本申请基于通。

　　6、过引用将公开内容全部结合于此的、于2010年8月6日提交的第 号日本专利申请并且要求对该申请的优先权。 技术领域 0003 本发明涉及一种半导体器件并且更具体地涉及一种包括与半导体芯片组合的片 状固体电解电容器的半导体器件。 背景技术 0004 近年来已经公开了若干在包括LSI的半导体芯片的接地电路与电源电路之间提 供电容器以稳定地供应电功率的技术。在半导体封装中包括的并且在与包括LSI的半导 体芯片的电路接近的位置布置的旁路电容器实现更短的布线长度、减少的等效串联电感 (ESL)并且提供高效和稳定操作的LSI。另外，通过在半导体封装中装配旁路电容器可以减 少布置于母板上。

　　7、的元件数目。 0005 例如在公开号为的日本待审专利申请中公开了一种包括半导体芯 片、固体电解电容器和键合接线示出了如下横截面图，该横截面图示 出了有关复杂电子部件的一个例子。半导体器件包括布置和附着到半导体芯片11上的固 体电解电容器25。连接半导体芯片11和固体电解电容器25的技术包括连接阳极焊盘21 和阴极焊盘22的方法和如下方法，该方法通过键合接线连接通过对形成于绝缘树脂的上 表面中的孔进行导体镀制加工以便到达固体电解电容器25的阳极构件来形成的阳极端子 (阳极通孔16)的端表面与在基底20的上表面中形成的焊区(阳极焊盘21)。另外尽管上 文已。

　　8、经关于阳极部分进行了描述，但是可以通过类似方法连接固体电解电容器的阴极导电 层。 0006 根据在公开号为的日本待审专利申请中公开的半导体器件，键合接 线与固体电解电容器的连接位置是在固体电解电容器的阳极构件与通过对孔进行导体镀 制加工来获得的阳极端子之间的连接部分。因此，键合工具在接线键合时引起的重量或者 振动可能破坏在紧接于接线键合部分下面的片状固体电解电容器的阳极构件与通过导体 镀制来形成的阳极端子之间的连接部分，这可能引起导电故障。因此存在连接可靠性的问 题。 发明内容 0007 简言之，本发明的目的在于提供一种可靠性高的半导体器件。 0008 本发明提供用于解决。

　　9、前述问题的手段并且下文将描述其示例配置。 0009 本发明的第一示例方面是一种半导体器件，该半导体器件包括：引线框，包括岛状 物、电源引线和GND引线；片状固体电解电容器，装配于岛状物上；半导体芯片，装配于固体 电解电容器上，半导体芯片的平面面积小于固体电解电容器的平面面积；连接半导体芯片 说 明 书CN 102437133 A CN 102437141 A 2/9页 4 和固体电解电容器的键合接线；以及连接固体电解电容器和电源引线或者固体电解电容器 和GND引线的键合接线，其中半导体器件包括在焊接在固体电解电容器的阳极部分上的阳 极板与阳极部分之间的连接部分和在阳极板与键合接线、，在阳极板与阳极 部分之间的连接部分和在阳极板与键合接线之间的连接部分在竖直投影时未重叠。 0010 本发明的第二示例方面是一种半导体器件，该半导体器件包括：引线框，包括岛状 物、电源引线和GND引线；片状固体电解电容器，装配于岛状物上；半导体芯片，经过基底装 配于固体电解电容器上，半导体芯片的平面面积小于固体电解电容器的平面面积；经过基 底连接半导体芯片和固体电解电容器的键合接线；以及经过基底连接固体电解电容器和电 源引线或者固体电解电容器和GND引线的键合接线，其中半导体器件包括在焊接在固体电 解电容器的阳极部分上的阳极板与阳极部分之间的连接部分和在基底与键合接线之间的 连接部分，在阳极板。

　　11、与阳极部分之间的连接部分和在基底与键合接线之间的连接部分在竖 直投影时未重叠。 0011 根据本发明，焊接在固体电解电容器的阳极部分上的阳极板与阳极部分的连接部 分和在阳极板与键合接线之间的连接部分或者在基底与键合接线之间的连接部分在它们 竖直投影时布置于不同位置，由此能够防止由于键合工具的重量或者振动所引起的影响而 出现连接故障或者导电故障。 0012 根据本发明，当通过接线键合来连接固体电解电容器的阳极部分和半导体芯片 时，未紧接于在键合接线与阳极板或者基底之间的连接部分下面提供焊接在固体电解电容 器的阳极部分上的阳极板的连接部分，这意味着它们在竖直投影时连接于不同位置。这防 止在固体电解。

　　12、电容器的阳极部分与阳极板之间的连接部分损坏(该损坏引起导电故障)并 且实现制造可靠性高的半导体器件。 0013 从下文给出的具体描述和仅通过示例给出、因此并不视为限制本发明的附图中将 变得更完全理解本发明的上述和目的、特征及优点。 附图说明 0014 图1是示出了根据本发明一个示例实施例和第一例子的半导体器件的涂覆树脂 的透视平面图； 0015 图2是沿着根据本发明示例实施例和第一例子的图1的线II-II截取的示意横截 面图； 0016 图3是示出了根据本发明第二例子的半导体器件的涂覆树脂的透视平面图； 0017 图4是沿着根据本发明第二例子的图3的线IV-IV截取的示意横截面图； 001。

　　13、8 图5是从根据本发明第二例子的图4的C-C平面所见的在C-C平面与D-D平面之 间的基底部分的透视平面图； 0019 图6是根据第一比较例子的半导体器件的涂覆树脂的透视平面图； 0020 图7是沿着根据第一比较例子的图6的线VII-VII截取的示意横截面图； 0021 图8是根据第二比较例子的半导体器件的涂覆树脂的透视平面图； 0022 图9是沿着根据第二比较例子的图8的线IX-IX截取的示意横截面图；并且 0023 图10是示出了根据相关技术的半导体器件的一个例子的横截面图。 说 明 书CN 102437133 A CN 102437141 A 3/9页 5 具体实施方式 0024 将参照。

　　14、图1和图2描述根据本发明一个示例实施例的半导体器件。根据本发明示 例实施例的半导体器件26包括由片状铝电解电容器形成的固体电解电容器25、引线和键合接线。例如QFP型引线(包 括装配于其上的固体电解电容器25)、电源引线装配于 固体电解电容器25上而基底和金属箔9按照需要插入于其间，并且半导体芯片11具有比 固体电解电容器25的平面面积更小的平面面积。键合接线与电源引线和GND引线或者焊接到固体电解电容器25的阳极部分1上的基底。 半导体器件26还包括覆盖固体电解电容器25、金属箔9和半导体芯片11的涂覆树脂15。 0025 固体电解电容器25包括作为母材的阳极部分1(该阳极部分是例如由铝制成的板 状或者箔状阀作用(valve action)金属)和在阳极部分1中提供的保护带2(由此将阳极 与阴极分离并且形成固体电解电容器25的基体)。在固体电解电容器25的阳极部分1中 提供保护带2。导电聚合物层4形成于由保护带2分离的电介质氧化物涂覆层3上，并且向 其涂敫石墨层5和银膏层6并且进行固化，由此形成固体电解电容器25的阴极部分。 0026 将阳极板7焊接到固体电。

　　16、解电容器的阳极部分1的方法可以包括超声焊接、电阻 焊接和激光焊接并且由于超声焊接的生产效率优良、焊接设备运行成本低并且连接可靠性 高而优选为超声焊接。优选地，阳极板7的平面面积的一半至三分之二焊接到阳极部分1。 这是因为重要的是键合工具在连接键合接线时的直径设置成如下范围，该范围使得键合接 线之间的连接部分与阳极板7与阳极部分1连接的部分在竖直投影时未重叠。 要求阳极板7与阳极部分1之间的连接部分与阳极板与键合接线之间的连接部分在竖直投 影时未重叠，并且键合工具的直径中心优选为如下范围的中心，在该范围中键合接线之间的连接部分在竖直投影时未重叠。半导体芯片可以装。

　　17、配于固体电 解电容器上而基底插入于其间。在这一情况下，阳极板的整个平面区域可以连接到阳极部 分。重要的是键合工具在键合接线连接到基底上的阳极焊盘(该阳极焊盘是与键合接线的 连接部分)时的直径与阳极板与阳极部分之间的连接部分在竖直投影时未重叠。要求阳极 板与阳极部分之间的连接部分和基底与键合接线之间的连接部分在竖直投影时未重叠并 且键合工具的直径中心优选为如下范围的中心，在该范围中基底的阳极焊盘和阳极板与阳 极部分之间的连接部分在竖直投影时未重叠。 0027 金属箔9在需要时使用银导电粘合剂8来连接到固体电解电容器25，从而在紧接 于半导体芯片11的连接接线键合的部分下面的部分中提供金属箔9。 。

　　18、0028 焊接在固体电解电容器25的阳极部分1上的阳极板7和主要在阴极部分上提供 的金属箔9可以由铜、铜合金、银、银合金、金、金合金、铝、铝合金等制成或者可以是使用这 些材料之一作为母材对其进行镀镍或者镀金的。包括镀制部分的厚度优选为从20m至 78m。铜母材由于它的导电率高而优选加以使用。取而代之，可以使用通过向基底的两个 表面涂敷金属箔来获得的材料，例如镀铜的印刷板。这也可以用作在固体电解电容器上提 供的基底。在这一情况下，印刷板的基材可以是双马来酰亚胺三嗪树脂、玻璃环氧树脂、玻 璃聚酰亚胺树脂、液晶聚合物等。优选的是玻璃环氧树脂由于它的广泛适用性、易于加工、 线性膨胀系数而选为基材，基材。

　　19、的厚度约为60m，向基材的两个表面涂敷的铜箔为无氧 说 明 书CN 102437133 A CN 102437141 A 4/9页 6 铜，并且它的厚度(包括镀制厚度)约为43m。 0029 随后通过非导电粘合剂10在岛状物12上装配固体电解电容器25。另外使用非导 电粘合剂10在固体电解电容器25上的金属箔9或者基底上装配半导体芯片11。然后在焊 接在固体电解电容器25的阳极部分1上的阳极板7的连接部分和键合接线的连接部分 竖直投影时在不同位置直接由接线(比如金键合接线)或者通过基底键合焊接在固体电 解电容器25的阳极部分11上的阳极板7和半导体芯片11的阳极部分。金属箔9或者基 底。

　　20、和半导体芯片11的阴极部分通过接线键合(例如由金键合接线)连接，随后由涂覆树 脂15涂覆。 0030 根据在固体电解电容器25与岛状物12之间的连接可靠性，银导电粘合剂8在固 体电解电容器25未由涂覆树脂15a涂覆时用作粘合剂，而非导电粘合剂10在仅固体电解 电容器25由涂覆树脂15a涂覆时用作粘合剂。 0031 尽管根据上述示例实施例的固体电解电容器25具有一个阳极部分和一个阴极部 分这两个端子，但是根据本发明固体电解电容器25可以具有两个阳极部分和一个阴极部 分这三个端子。 0032 例子 0033 下文将参照例子具体描述根据本发明的半导体器件。 0034 (第一例子) 0035 根据。

　　21、第一例子的半导体器件的涂覆树脂的透视平面图对应于上文已经描述的图 1。沿着在根据第一例子的半导体器件的图1中的线II-II截取的示意横截面结构对应于 在示例实施例中描述的图2。将参照图1和图2描述第一例子。 0036 首先作为商业上可获得的用于铝电解电容器的粗糙化(蚀刻)铝形成箔，选择厚 度为80m、每平方厘米的电容为118F、在形成电介质时的形成电压为9V的箔并且对该 箔进行冲孔以具有电容器元件的形状。接着为了将阳极与阴极分离，通过丝网印刷方法来 加工环氧树脂以形成宽度为0.8mm而厚度为20m的保护带2。使铝形成箔在脂肪酸水合 溶液中受到化学转换，由此形成电介质氧化物涂覆层3。随后使用吡咯。

　　22、作为单体，过硫酸铵 作为氧化剂而p-甲苯磺酸作为掺杂剂来进行化学氧化聚合，由此在阴极形成区中在电介 质氧化物膜上形成导电聚合物层4。通过丝网印刷方法向其涂敷石墨层5并且固化该石墨 层以具有30m的厚度。随后通过丝网印刷方法向石墨层5上涂敷银膏层6并且固化该银 膏层以具有50m的厚度。使用YAG激光来曝光阳极部分1的阳极，并且通过超声焊接将 这一阳极焊接到铜母材的阳极板7，其中进行厚度为15m的镀铜、厚度为3m的镀镍和厚 度为0.1m的镀金。阳极板7的平面面积的三分之二焊接到阳极部分1。 0037 接着通过分配器向固体电解电容器25的阴极部分的银膏层6涂敷银导电粘合剂 8，随后通过对其进行镀镍和。

　　23、镀金的无氧铜母材来装配和固化长度为2.0mm、宽度为1.0mm 而厚度为43m的金属箔9。另外，除了通过接线键合来连接到金键合接线的一侧之外新澳门新葡萄娱乐，使用涂覆树脂15a通过传送模制来涂覆固体电解电容器25。 0038 接着通过分配器向由42合金制成的QFP型引线施加主要成分 为环氧树脂的非导电粘合剂10，并且以涂覆树脂15a的表面为下表面装配和固化固体电解 电容器25。 0039 另外通过分配器向装配于固体电解电容器25的阴极部分上的金属箔9施加主要 说 明 书CN 102437133 A CN 102437141 A 5/9页 7 成分为环氧树脂的非。

　　24、导电粘合剂10，并且在其上装配半导体芯片11。然后阳极板7的端部 的三分之一部分(在焊接在固体电解电容器25的阳极部分1上的阳极板7竖直投影时不 同于与阳极部分的连接部分)和半导体芯片11的阳极部分1通过接线键合由金键合接线的阴极部分通过接线键合由金键合接线的端部的三分之一部分(在焊接在固体电解电容器25的阳极部分 1上的阳极板7竖直投影时不同于与阳极部分的连接部分)和QFP型引线的电源引线通过接线键合由金键合接线和QFP型引线通 过接线键合由金键合接线 在固体电解电容器与接线键合的连接状态方面检验这样获得的十个半导体器件 26，并且对具有连接故障的器件的数目进行计数。表1示出了结果。器件使用传送模制由 涂覆树脂15涂覆，由此获得半导体器件26。测试十个完成的半导体器件26的操作以检验 是否存在固体电解电容器25的损坏。表1示出了结果。 0042 在表1中所示结果中，在固体电解电容器与接线键合之间的连接故障这一连接状 态意味着如下情况，在该情况下半导体芯片11的阳极部分和阴极部分、QFP型引线中的通过接线 键合的连接部分中的任一个未连接或者断开。在固。

　　26、体电解电容器的阳极部分1与阳极板7 之间的连接故障这一连接状态意味着如下情况，在该情况下在通过超声焊接来焊接的固体 电解电容器的阳极部分1与阳极板7之间的连接部分损坏并且剥落或者裂开。另外半导体 器件26的操作故障意味着半导体芯片11操作而无嵌入于半导体器件26中的固体电解电 容器25所给予的效果这样的情况以及半导体芯片11未操作这样的情况。 0043 (第二例子) 0044 将参照图3、图4和图5描述第二例子。固体电解电容器25的制造工艺除了阳极 板的连接之外类似于在第一例子中描述的制造工艺。通过超声焊接向固体电解电容器25 的阳极部分1焊接对其进行厚度为15m的镀铜、厚度为3m的镀镍和厚度。

　　27、为0.1m的 镀金的由铜母材制成的阳极板7。阳极板7的平面区域的整个表面焊接到阳极部分1。 0045 接着基底20装配于固体电解电容器25上而不是第一例子中使用的金属箔上，并 且由环氧树脂制成的具有铜板的双面印刷板用作基底20。由铜母材制成的阳极装配部分 18和阴极装配部分19被提供于基底20的装配有固体电解电容器25的表面上，由此经过穿 透环氧树脂的阳极通孔16和阴极通孔17电连接到两个阳极焊盘21和两个阴极焊盘22，这 些焊盘用于在装配半导体芯片11的一侧中的接线包括紧接于半导体 芯片11的连接有接线键合的位置下面的四个金属箔9a，并且除了阳极焊盘21和阴极焊盘 22之。

　　28、外的部分由阻焊剂27覆盖。基底具有4.5mm的长度和1.6mm的宽度。厚度为35m 的无氧铜箔布置于由玻璃环氧树脂制成并且厚度为60m的基材的两个表面中。然后进行 厚度为3m的镀镍和厚度为0.1m的镀金，由此获得基底20。通过丝网印刷方法向基底 20上的装配有固体电解电容器25的表面施加银导电粘合剂8以具有50m的厚度，并且装 配和固化固体电解电容器25的焊接有阳极板7的一侧。另外除了用于在装配半导体芯片 11的一侧中的接线使 用传送模制由涂覆树脂15a涂覆。 0046 接着通过分配器向由42合金制成的QFP型引线施加主要成分 说 明 书CN 102437133 A CN 102437141 A 6/9页 8 为环氧树脂的非导电粘合剂10，并且以涂覆树脂15a的表面为下表面装配和固化固体电解 电容器25。 0047 另外使用主要成分为环氧树脂的非导电粘合剂10在基底20上装配半导体芯片 11。然后阳极部分21(用于固体电解电容器25装配于其上的基底20的接线的接线键合部分竖直投影时与固体电解电容器25的 阳极板7不同的位置(该位置为阳极焊盘21的与半导体芯片11接近的端部)通过接线键 合由金键合接线、其上的基底20 的接线的阴极部分通过接线键合由金键合接线的接线键合)在接线键合部分竖直 投影时与固体电解电容器25的阳极板7不同的位置(该位置为阳极焊盘21的与电源引线接近的端部)连接到QFP型引线的电源引线(用于装配有固 体电解电容器25的基底20的接线键合)通过接线键合由金键合接线连接到QFP型引 线 在固体电解电容器与接线键合的连接状态方面检验这样获得的十个半导体器件 26，并且对具有连接故障的器件的数目进行计数。表1示出了。

　　31、结果。器件使用传送模制由 涂覆树脂15涂覆，由此获得半导体器件26。测试十个完成的半导体器件26的操作以检验 是否存在固体电解电容器25的损坏。表1示出了结果。 0049 在表1中所示结果中，在固体电解电容器与接线键合之间的连接故障这一连接状 态意味着如下情况，在该情况下半导体芯片11的阳极部分和阴极部分、QFP型引线(用于在固体电解电容器25 中使用的基底20中的接线键合)中的通过接线键合的连接部分中的任一个未连接或者断 开。在固体电解电容器的阳极部分1与阳极板7之间的连接故障这一连接状态意味着如下 情况，在该情况下在通过。

　　32、超声焊接来焊接的固体电解电容器的阳极部分1与阳极板7之间 的连接部分损坏并且剥落或者裂开。另外半导体器件26的操作故障意味着半导体芯片11 操作而无嵌入于半导体器件26中的固体电解电容器25所给予的效果这样的情况以及半导 体芯片11未操作这样的情况。 0050 (第一比较例子) 0051 将参照图6和图7描述第一比较例子。固体电解电容器25的制造工艺除了阳极 板的连接之外类似于在第一例子中描述的制造工艺。由铜母材(其中进行厚度为15m的 镀铜、厚度为3m的镀镍和厚度为0.1m的镀金)制成的阳极板7通过超声焊接来焊接 到固体电解电容器25的阳极部分1。阳极板7的平面区域的整个表面焊接到阳极部分1。

　　33、。 0052 接着类似于第一例子，通过分配器向固体电解电容器25的阴极部分的银膏层6 上施加银导电粘合剂8新澳门新葡萄娱乐，然后通过对其进行镀镍和镀金的无氧铜母材来装配和固化长度为 2.0mm、宽度为1.0mm而厚度为43m的金属箔9。另外除了通过接线键合来连接到金键合 接线的一侧之外，使用涂覆树脂15a通过传送模制来涂覆 固体电解电容器25。 0053 通过分配器向由42合金制成的QFP型引线施加主要成分为环 氧树脂的非导电粘合剂10，并且以涂覆树脂15a的表面为下表面装配和固化固体电解电容 器25。 说 明 书CN 102437133 A CN 102437。

　　34、141 A 7/9页 9 0054 另外通过分配器向装配于固体电解电容器25的阴极部分上的金属箔9上施加主 要成分为环氧树脂的非导电粘合剂10，并且在其上装配半导体芯片11。然后焊接在固体电 解电容器25的阳极部分1上的阳极板7和半导体芯片11的阳极部分通过接线键合由金键 合接线连接。在键合接线之间的连接部分使得固体电解电容器25的阳极部 分1与阳极板7之间的连接部分在竖直投影时紧接于其下面放置。 0055 另外，焊接在固体电解电容器25的阳极部分1上的阳极板7和QFP型引线 的电源引线通过接线键合由金键合接线的键合接线的连接部分使得 固体电解电容器2。

　　35、5的阳极部分1与阳极板7之间的连接部分在竖直投影时紧接于其下面 放置。 0056 此后在与第一例子中的条件相同的条件之下完成半导体器件26。在固体电解电容 器与接线键合的连接状态方面检验这样获得的十个半导体器件26，并且对具有连接故障的 器件的数目进行计数。表1示出了结果。器件使用传送模制由涂覆树脂15涂覆，由此获得 半导体器件26。测试十个完成的半导体器件26的操作以检验是否存在固体电解电容器25 的损坏。表1示出了结果。 0057 在表1中所示结果中，在固体电解电容器与接线键合之间的连接故障这一连接状 态意味着如下情况，在该情况下半导体芯片11的阳极部分和阴极部分、QFP型引线中的通过接线 键合的连接部分中的任一个未连接或者断开。固体电解电容器的阳极部分1与阳极板7之 间的连接故障这一连接状态意味着如下情况，在该情况下在通过超声焊接来焊接的固体电 解电容器的阳极部分1与阳极板7之间的连接部分损坏并且剥落或者裂开。另外半导体器 件26的操作故障意味着半导体芯片11操作而无嵌入于半导体器件26中的固体电解电容 器25所给予的效果这样的情况以及半导体芯片11未操作这样的情况。 0058 (第二比较例子) 0059 将参照图8和图9描述第二比较例子。如与第二例子类似的那样制造固体电解电 容器25，并且在固。

　　37、体电解电容器25上装配基底20。然后向基底20的装配有固体电解电容 器25的表面施加银导电粘合剂8，随后装配和固化固体电解电容器25的焊接有阳极板7的 一侧。另外除了两个阳极焊盘21和两个阴极焊盘22(用于在半导体芯片11装配于其上的 一侧中的接线键合)之外，固体电解电容器25通过传送模制由涂覆树脂15a涂覆。 0060 接着通过分配器向由42合金制成的QFP型引线施加主要成分 为环氧树脂的非导电粘合剂10，并且以涂覆树脂15a的表面为下表面装配和固化固体电解 电容器25。另外使用主要成分为环氧树脂的非导电粘合剂10在基底20上装配半导体芯片 11。 0061 随后阳极焊盘2。

　　38、1(用于固体电解电容器25装配于其上的基底20的接线的阳极部分通过接线键合由金键合接线的接线键合 位置使得在竖直投影时通过银导电粘合剂8来与固体电解电容器25的阳极装配部分18连 接的阳极板7紧接于其下面，这意味着它们在阳极焊盘21的中心部分周围由金键合接线 连接。另外，用于基底210的接线和QFP型引线的电源引线通 过接线键合由金键合接线的接线键合位置在竖直投影时紧接于通过 银导电粘合剂8来与固体电解电容器25的阳极装配部分18连接的阳极板7下面，这意味 说 明 书CN 102437133 A。

　　39、 CN 102437141 A 8/9页 10 着它们在阳极焊盘21的中心部分周围由金键合接线 此后在与第二例子中的条件相同的条件之下完成半导体器件26。在固体电解电容 器与接线键合的连接状态方面检验这样获得的十个半导体器件26，并且对具有连接故障的 器件的数目进行计数。表1示出了结果。器件使用传送模制由涂覆树脂15涂覆，由此获得 半导体器件26。测试十个完成的半导体器件26的操作以检验是否存在固体电解电容器25 的损坏。表1示出了结果。 0063 在表1中所示结果中，在固体电解电容器与接线键合之间的连接故障这一连接状 态意味着如下情况，在该情况下半导体芯片11的阳极部分和。

　　40、阴极部分、QFP型引线(用于在固体电解电容器25 中使用的基底20中的接线键合)中的通过接线键合的连接部分中的任一个未连接或者断 开。固体电解电容器的阳极部分1与阳极板7之间的连接故障这一连接状态意味着如下情 况，在该情况下在通过超声焊接来焊接的固体电解电容器的阳极部分1与阳极板7之间的 连接部分损坏并且剥落或者裂开。另外半导体器件26的操作故障意味着半导体芯片11操 作而无嵌入于半导体器件26中的固体电解电容器25所给予的效果这样的情况以及半导体 芯片11未操作这样的情况。 0064 表1 0065 0066 0067 在。

　　41、第一例子和第二例子中，在十个器件之中的十个器件示出了通过在接线键合中 键合接线中的良好连接状态。另外，完成的半导体器件的操作检验已 经揭示在十个器件之中的十个器件已经正常操作。因此固体电解电容器25的阳极部分与 阳极板的连接状态优良并且连接部分未损坏。 0068 然而根据第一比较例子，在接线键合时添加重量或者影响。虽然在十个固体电解 说 明 书CN 102437133 A CN 102437141 A 9/9页 11 电容器25之中的四个器件的连接状态优良，但是其余六个器件具有连接故障。另外，十个 完成的半导体器件的操作检验已经揭示在十个器件之中的六个器件未操作。在第二比较。

　　42、例 子中，在接线键合时添加重量或者影响。在十个固体电解电容器25之中的六个器件的导电 状态优良，而其余四个器件具有连接故障。另外，十个完成的半导体器件的操作检验已经揭 示在十个器件之中的四个器件未操作。 0069 因此理解虽然键合接线的连接状态优良，但是固体电解电容器25的阳极部分与 阳极板之间的连接由于在接线键合时直接施加的应力而损坏。 0070 另外即使在半导体器件以内仍然可以在与半导体芯片的电路更近的部分布置电 容器，由此能够改进电特性。第一例子优于第二例子，因为从固体电解电容器到半导体芯片 的布线长度在第一例子中更短。 0071 根据这样描述的本发明将清楚可以用许多方式变化本发明的实施。

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