新澳门新葡萄娱乐半导体器件_百度文库

　　新澳门新葡萄娱乐半导体器件_百度文库反向电流IR 即为反向饱 和电流IS。其值越小，二极 管的单向导电性能越好。 4) 直流电阻RD 直流电阻RD是指二极管 两端的直流电压与流过的 直流电流之比。即

　　带负电荷的粒子区(即不能移动的负离子)；在N区一侧， 出现了一层带正电荷的粒子区(即不能移动的正离子)，

　　可看作由两部分组成：一部分是自由电子进行定向运 动形成的电子电流；另一部分是束缚电子在共价键上 填补空穴形成的空穴电流。 当一个自由电子进入空穴时，空穴就会消失，这

　　2. 杂质半导体 在本征半导体中，通过热激发产生的自由电子和 空穴的数目，还远不能使半导体具有良好的导电能力。 然而，通过掺入有用的杂质(称为掺杂)，却能使其导电 特性得到很大的改善。

　　2) 最高工作频率fM 这主要取决于PN结的结电容。若工作频率f＞fM， 则二极管的单向导电性能将变坏。

　　1) 微变(变流)电阻rD 二极管工作在小信号时需要用到微 变电阻rD 。rD 的定义是：二极管特性曲 线上工作点Q附近的电压变化量ΔU与相 应的电流变化量ΔI之比。即

　　在近代电子学中，用得最多的半导体是Ge和Si。其外 层都只有4个电子，属4价元素。为便于讨论，采用图5.1

　　期运行时，允许通过的最大正 向平均电流。当二极管电流I＞ IF 时，PN结会因为太热而烧坏。 2) 最高反向工作电压URM 最高反向工作电压URM通常 取二极管反向击穿电压UB的一 半。

　　称为空穴。空穴显示出的功效类似阳电荷(严格地说， 空穴不是阳电荷)，所以，空穴也是一种载流子。

　　1904年，英国人J.A.弗莱明发明了第一个真空二极管“弗莱明线年，L.德福斯特在弗莱明真空管中加了一个栅格网，制成了第一

　　(1)雪崩击穿。当反向电压太高时，载流子在阻挡 层中将受到强烈的电场加速作用，获得足够的能量去 碰撞原子，产生新的电子—空穴对。被撞出的载流子获 得能量后又可能再去碰撞别的原子，如此连锁反应造 成了载流子的剧增。这种击穿多发生在掺杂浓度不大 的PN结。雪崩击穿电压一般高于6V。

　　(1)空间电荷区变宽的过程，相当于PN结放出载流 子的过程。这现象如同一个电容器的放电，如前所述， 此电容称为扩散电容Cd 。 (2)PN结处于反偏时，载流子数目很少，故反向扩

　　由上节可知，PN结上有耗尽层电容Ct 和扩散电容 Cd,我们通常用结电容Cj来表征PN结的电容效应： Cj=CtCd 结电容的充、放电效应与普通电容相似，不同的

　　区中是多子，在P区中是少子，所以在P、N两区交界 处，由于载流子浓度的差异，要发生电子和空穴的扩

　　在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三 大类。 往 用

　　因浓度差 多子的扩散运动  由杂质离子形成空间电荷区  空间电荷区形成内电场   内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。

　　对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空 间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层新澳门新葡萄娱乐。

　　用 往 于于 阳极 阴极 用 低高 引线 引线 阳极 a k 阴极 于 结 频频 集 面 整 结 大 成 积 流 面 电 P 电 可 和 积 流 N 路 大 开 (d) 代表符号 大 整 P 型支持衬底 制 流 PN结面积小，结电容小 可 关 造 小 电 电 用于检波和变频等高频电路路 艺 路 中 PN PN

　　反向电压又称为反向偏置电压，简称反偏电压新澳门新葡萄娱乐。 外电场方向与自建电场方向一致，加强了漂移运动， 削弱了扩散运动。空间电荷量增加，PN结变宽。

　　空间电荷区中几乎无载流子，近似于电路的开路状 态，扩散电流趋于零。这时由热激发产生的少子，可 以在结电场的作用下通过PN结，形成反向电流IR ，但 因为少子数量有限，IR 很小，所以这时仍可认为PN结 是截止的。 IR有时也称为反向饱和电流IS。这是因为当温度不 变时，少子的浓度不变，所以在一定的电压范围内， IR 几乎不随反偏电压的增加而变大。但温度升高会使 少子增加，故IR 会随温度的上升而增长很快，这就是 PN结的温度特性。 由此可见，PN结具有单向导电的特性及温度特性。

　　意大利人G.马可尼. ，1894年，马可尼当着英国官员的面，进行了距 离超过2英里的无线，马可尼用大功率和庞大的天线实现了跨越大西洋的无线. PN结的单向导电特性

　　正向电压又称正向偏置电压，简称正偏电压。 当PN结外加正向电压Uf(外电源的正极接P区，负 极接N区)时，则外电场的方向与扩散运动方向一致， 加强了扩散运动新澳门新葡萄娱乐，削弱了漂移运动。

　　当PN结反偏电压UR超过某一数值时，反向电流IR 会突然增大，出现反向电压击穿现象，简称为反向击 穿。发生反向击穿所需的电压称为反向击穿电压UB。

　　因为这种掺杂后的半导体主要靠空穴导电，空穴是带 正电的，所以掺入三价元素的杂质半导体称为P型半导体，

　　(2)齐纳击穿。当反向电压足够大时，阻挡层中的 强电场会将电子从共价键中强行拉出，产生电子—空穴 对，使载流子剧增(其效果与温度升高相仿)。这种击穿 多发生在掺杂浓度较高的PN结。齐纳击穿电压一般低 于6V。

　　6.2.1 半导体二极管的结构与分类 半导体二极管又称晶体二极管，简称为二极管。 它是由一个PN结加上相应的电极引线和管壳做成的。 从P区引出的电极称为阳极(正极)，从N区引出的电极 称为阴极(负极)。PN结的基本属性，也就是二极管的