新澳门新葡萄娱乐常用半导体元件doc

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　　的导电能力会随温度、光照及所混淆质不一样而明显变化。特别是混淆可以改变半导体的导电能力和导电种类,这是今日能用半导体资料制造各种器件及集成电路的基本依照。

　　可分为点接触型和面接触型二极管;按用途分类可分为一般二极管、稳压二极管、发光二极管、变容二极管等,平时所说的二极管是指一般二极管。

　　(1)当反向电压不超出必定范围时,反向电流十分细小并随电压增添而基本不变。平时可以忽视不计。

　　二极管的“导通”与“截止”,可以用理想开关的“闭合”与“断开”来模拟,但应清楚它们之间的差异。二极管正导游通时,相当于开关闭合;二极管反向截止时,相当于开关断开。但是二极管又不可以简单地用开关模拟,一是由于二极管的“开关”特征拥有方向性,即是单导游通的,这是理想

　　电流只好从阳极(P型半导体一侧)流向阴极(N型半导体一侧),反方向是不可以导通的。这个特征称为单导游电性新澳门新葡萄娱乐。

　　,是正确的选择和使用二极管的依照。二极管的参数主要针对单导游电性提出来的。使用许多的是最大整流电流和最高反向工作电压。

　　一、是非题:1、2、3、4;二新澳门新葡萄娱乐、选择题:1、2、3、4;三、填空题:1、2、3、4;四、计算

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　　外,而基极电流和集电极电流是流入管内的;PNP型晶体管的状况正好相反(符号箭头向内),电流由发射极流入,由集电极和基极流出。

　　(PCM)是指为了限制集电结温升不超出同意值而规定的最大值,该值除了与集电极电流有关外,还与集电极和发射极之间的电压有关。

　　、发射极之间反向击穿电压(U(BR)CEO)是指晶体管基极开路时,集电极和发射极之间可以承受的最大电压。

　　,就一定满足其外面条件,即发射结正向偏置,集电结反向偏置,这一条是构成放大电路的基根源则。

　　:——反响电流放大能力;ICM——对晶体管集电极电流的限制;U(BR)CEO——晶体管集电极和发射极之间可以承受最大电压的限制等。

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　　(b)中标出发射结的正向偏置电压UBE和集电结的反向偏置电压UCB,放大状态各点电位是集电极电位最高,基极电位次之,最低的是发射极电位。

　　(c)表示晶体管处于放大状态时,集电极C和发射极E之间相当于通路,用一个变化的电阻表示此间电压降。变化状况可以为是受基极电流控制的。

　　处于截止状态的晶体管,各极电流(IB、IC和IB)都为零或极小新澳门新葡萄娱乐。因此晶体管截止时没有放大作

　　电位值分布(以NPN管,发射极接地为例):VCVB:发射结正向偏置,集电极正向偏置。

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　　晶闸管的符号与二极管相似,不过在其阴极处增添一个控制极,在控制极上加控制信号时晶闸管导通。

　　结论:晶闸管是一个受控制的二极管,除了应拥有正向偏置电压外,还一定给控制极加一个足够大的控制电压,晶闸管就会导通。一旦晶闸管导通,控制电压即使撤消,依旧保持导通状态。

　　注意:晶闸管导通后若阳极电流小于某一个很小的电流IH(称为保持电流)时,晶闸管也会由导通变成截止。