新澳门新葡萄娱乐常用半导体元件PPT

　　新澳门新葡萄娱乐常用半导体元件PPT第 8 章常用半导体元件 8.1二极管 8.1.1二极管的结构、外形与符号 8.1.2二极管的电流、电压关系 8.1.3二极管的主要参数 8.2晶体管 8.2.1晶体管的外形、结构和符号 8.2.2晶体管的放大作用 8.2.3三极管的主要参数 8.3晶体管的三种工作状态 8.3.1放大状态 8.3.2饱和状态 8.4晶闸管 8.4.1晶闸管的外形、结构和符号 8.4.2晶闸管的工作原理 8.4.3晶闸管的主要参数 (1)额定正向平均电流 IF —— 指晶闸管允许通过的工频正弦半波电流的平均值。 (2)正向平均管压降 UF —— 指晶闸管正向导通状态下阳极和阴极两端的平均电压降，一般为 0.4 ~ 1.2 V。 (3)维持电流 IH —— 维持晶闸管导通状态所需的最小阳极电流。 (4)最小触发电压 UG —— 指晶闸管正向偏置情况下，为使其导通而要求控制极所加的最小触发电压，一般约为 1 ~ 5 V。 8.4晶闸管 8.3晶体管的三种工作状态 8.2晶体管 8.1二极管 8.1.1二极管的结构、外形与符号 8.1.2二极管的电流、电压关系 8.1.3二极管的主要参数 半导体二极管又称晶体二极管。 按半导体材料划分：硅二极管、锗二极管等； 按 PN 结结构划分：点接触型二极管、面接触型二极管、平面型二极管等； 按用途划分：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。 二极管：将 PN 结封装在塑料、玻璃或金属外壳里，并从 P 区和 N 区分别焊出两根金属引线做正、负极。 外形： 符号： 二极管是由半导体材料制成，常用的半导体有锗和硅。 VD 阳极 （正极） 阴极 （负极） 1．正向偏置与导通状态 当二极管两端所加的正向电压比较小时，正向电流很小，二极管呈现很大的电阻，如图中 0A 段。 这个范围称为死区，相应的电压叫死区电压。硅二极管的死区电压为 0.5 V 左右，锗二极管的死区电压约为 0.1 ~ 0.2 V。 外加电压超过死区电压以后，正向电 流迅速增加，这时二极管处于正向导通状 态，如图中 AB 段所示。 导通后管子两端电压几乎恒定，硅管约为 0.6 ~ 0.7 V，锗管约为 0.2 ~ 0.3 V。 正偏导通 当给二极管加反向电压时，所形成的反向电流是很小的，而且在很大范围内基本不随反向电压的变化而变化，即保持恒定。 当反向电压大到一定数值时，反向 电流会突然增大，如图中 CD 段，这种 现象称为反向击穿，相应的电压叫反向 击穿电压。正常使用二极管时，是不允 许出现这种现象的。 C D 正偏导通 2．反向偏置与截止状态 结论： 二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很 小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止，呈现 很大的反向电阻，如同开关断开。 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与电 流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于 非线．最大整流电流 IFM 二极管长时间工作时允许通过的最大正向电流的平均值。 二极管正常使用时所允许加的最高反向电压。 2．最高反向工作电压 URM 3．反向电流 IR 二极管加反向电压而未击穿时的反向电流。 IR愈小，单向导电性愈好。 8.2.1晶体管的外形、结构和符号 8.2.2晶体管的电流放大作用 8.2.3三极管的主要参数 在一块半导体上制作两个相距很近的 PN 结，就成为一个新的器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管，简称晶体管。 晶体管按材料分有硅管和锗管；按 PN 结的组成方式分有 NPN 型和 PNP 型。 我国生产的硅管大多是 NPN 型；锗管大多是 PNP 型。NPN 型的硅管是目前应用较多的一种。 NPN 型 外形： 结构： 三个区； 三个电极。 两个 PN 结； 发射极箭头指向符号电流的流动方向。 PNP 型符号 VT PNP 型 NPN 型符号 VT N 集电区 P 基区 N 发射区 三极管有三个电极，必须有两个外加电压，才能决定两个 PN 结的工作状态。因此有一个电极是共用的。据此，三极管有共发射极、共基极、共集电极三种接法。 以 NPN 型晶体管的共发射极接法为例新澳门新葡萄娱乐，分析晶体管的放大作用。 UBB 为基极电源，通过电位器 RB 将正向电压加到基极和发射极之间(发射结)，集电极电源 UCC 电压应高于 UBB 电压，使发射结正向偏置，集电结反向偏置。 调节电位器 RB 的阻值，可以改变发射结的偏压，从而调节基极电流 IB 的大小；相应得到集电极电流 IC 和发射极电流 IE 的值。 可见：IE = IC + IB；IC = ? IB . 晶体管各极之间电流分配关系为： IE = IC + IB 基极 IB 与集电极 IC 数量关系在一定范围内是比例关系即： 或 基极电流 IB 的变化，会引起集电极电流 IC 发生更大的变化。即基极电流对集电极电流有控制作用，或集电极电流对基极电流有放大作用。这就是三极管的电流放大原理。 注意：(1)三极管的电流放大作用，实质上是用较小的基极电流信号去控制集电极的大电流信号，是 “以小控大” 的作用，而不是能量的放大。 (2)使三极管起放大作用的外部条件是发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。 结论: (3)若增大 RB 使发射结电压下降到一定值(硅管 0.5 V 以下，锗管 0.1 V 以下)IC 与 IE 基本为零，该工作状态称为截止。 (4)若减小 RB 使 IB 增加到一定数值，IC 即随 IB 增大而增大，该工作状态称为饱和。 1．共射极电流放大系数 ? ? 是表征管子电流放大能力的参数。常用小功率管的 ? 值约为 20 ~ 150。 ? 值太小，电流放大作用差；太大工作稳定性差。通常取 50～80 左右为宜。 2．集电极最大允许电流 ICM 当 IC 过大时，? 将下降。使 ? 下降到正常值的 2/3 时的集电极电流称为集电极最大允许电流。 3．集电极电极、发射极之间反向击穿电压 U(BR)CEO 当基极开路时，集电极与发射极之间所能承受的最高反向电压。 4．集电极最大允许耗散功率 PCM 保证集电结温升不超过允许值而允许集电极所消耗的最大功率称集电极最大允许耗散功率。 8.3.3截止状态 8.3.1放大状态 8.3.2饱和状态 条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 IC = ? IB IE = IC + IB =(1+ ? )IB 特点：集电极电流受基极电流控制。 (a) 晶体管因两个 PN 结的偏置情况不同，其工作状态可分为三种：放大状态、饱和状态、截止状态。 UCE = UCC - RCIC 集电极 C 和发射极 E 之间相当于通路，用一可控电阻表示其间电压降。 处于放大状态的 NPN 型晶体管，集电极电位最高，基极电位次之，发射极电位最低(图 b 所示)。 (b) (c) 饱和条件：发射结正向偏置，集电结正向偏置。 特点： UCE ? 0.3 V(硅管)、0.1 V(锗管) 集电极 C 和发射极 E 之间相当于一闭合开关。 在放大状态，IC 随 IB 增大，当 IC 增大到 (IC 最大值)时，IC 不再随 IB 增大，即晶体管处于——饱和状态。 此时，三极管的集电极电位 UCE ? 0，低于基极电位，即集电结正向偏置。基极电位最高，集电极次之，发射极最低。 （b） （c） 条件：发射结反向偏置，集电结反向偏置。 IB ≈0 ; IC ≈0 UCE = UCC - RCIC ≈ UCC 集电极电阻RC 无电压，所以 特点：由于两 PN 结均反向偏置，各极电流都极小； 在模拟电子电路中新澳门新葡萄娱乐，晶体管是作为放大元件，主要工作在放大状态；在数字电路中，晶体管是作为电子开关，工作在饱和状态和截止状态。 处于截止状态的晶体管，集电 极电位最高(≈ UCC )，发射极电位次之，基极电位最低。 动画：基本放大电路的放大作用 8.3.3截止状态 8.4.1晶闸管的外形、结构和符号 8.4.2晶闸管的工作原理 8.4.3晶闸管的主要参数 晶闸管又称为可控硅，是目前半导体器件从弱电进入强电领域，制造技术最成熟、应用最广泛的器件之一。 晶闸管分普通晶闸管和特种晶闸管，特种晶闸管有快速晶闸管、双向晶闸管、可关断晶闸管等，人们所说的晶闸管是指普通型晶闸管。 晶闸管由三个 PN 结，四层半导体材料组成。 晶闸管的三个电极分别为阳极(A)、阴极(K)、控制极(也称为门极)(G)。三个PN结分别为 J1、J2 和 J3。 晶闸管的符号与二极管相似，在 其阴极处有一个控制极，表明其导通 的条件除了和二极管一样需要正向偏置的电压外，还需另外增加一个控制信号。 符号 结构 外形 晶闸管反向偏置时，无论是否给控制极加电压，晶闸管均不导通新澳门新葡萄娱乐。 晶闸管加正向偏置电压，阳极 A 接高电位，阴极 K 接低电位，但控制极 G 没有接任何电压，J2 结反偏，晶闸管仍然不导通。 晶闸管不导通的状态称为阻断状态。 反向阻断 正向阻断 晶闸管加正向偏置电压，给控制极 G 加一个幅度和一个宽度都足够大的正电压(称为触发电压)，此时三个 PN 结都正偏，晶闸管导通。 晶闸管导通后，若去掉控制极的电压，晶闸管仍然能保持导通状态。 导通状态： 正向触发导通 撤除触发信号仍导通 RA RG 晶闸管为一个受控制的二极管，也具有单向导电性。 要使晶闸管由阻断状态变为导通状态，必须在晶闸管上加正向电压的同时，在控制极上加正向触发电压；一旦晶闸管导通，控制极就失去控制作用。控制电压即使取消，晶闸管仍能保持通的状态。 另外，晶闸管导通后若阳极电流小于某一个很小的电流 IH (称为维持电流)时，晶闸管也会由导通变为截止，一旦晶闸管截止，必须重新触发才能再次导通。 结论：

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