新澳门新葡萄娱乐半导体类电子零件检验方法

　　新澳门新葡萄娱乐半导体类电子零件检验方法利用儀器MY-65(數字萬用表)hFE檔來測量﹐將三極管按NPN或PNP的腳位插好﹐讀取數據。DIP直接測量﹐SMD需連線﹐一般在300左右。

　　●將穩壓管浸入260±5℃錫爐中﹐經10秒后取出﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐表面無異常變化﹐進行產品試作應符合特性要求。

　　●將穩壓管過Air Reflow【2600/-5℃﹐時間為10~30秒】﹐總程6分鐘後取出﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐表面無異常變化﹐進行產品試作應符合特性要求﹐此為材料必檢項目。

　　用游標卡尺根據廠商規格檢驗二極體本體長度﹑寬度﹑腳長度﹑腳間距﹑相對二腳間之距離﹑腳厚度﹐測試要點按照材料規格書所示﹐測試結果應在規定公差范圍內。

　　用萬用表測試﹐紅表筆接正極﹐黑表筆接負極﹐測量值應在0.5~~0.65KΩ范圍內。表筆反接﹐阻值接近無窮大﹐帶黑色標記的一端為負極。若兩方向之讀數均高﹐則二極管斷路。反之為短路。

　　逆向耐壓值例如100V﹑用GPI-735&GPR-7510HD(直流高壓機&電源供給器)進行測試﹐反接于電路中﹐即紅表筆接負極﹐黑表筆接正極﹐經過10秒后﹐二極管不被擊穿。

　　●將二極體浸入260±5℃錫爐中﹐經10秒后取出來﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐外觀應無異常變化﹐無特性不良等現象。

　　●將二極體過Air Reflow【2600/-5℃﹐時間為10~30秒】﹐總程6分鐘後取出﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐外觀應無異常變化﹐無特性不良等現象。此為必檢項目。

　　用游標卡尺根據廠商規格檢驗電晶體本體長度﹑寬度﹑腳長度﹑腳間距﹑相對二腳間之距離﹑腳厚度﹐測試要點如材料規格書所示﹐測試結果應在規定公差范圍內新澳门新葡萄娱乐。

　　●將光電耦合器浸入260±5℃錫爐中﹐經10秒后取出﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐表面無異常變化﹐進行產品試作應符合特性要求。

　　●將光電耦合器過Air Reflow【2600/-5℃﹐時間為10~30秒】﹐總程6分鐘後取出﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐表面無異常變化﹐進行產品試作應符合特性要求﹐此為材料必檢項目。

　　浸助焊劑后﹐將二極管浸入235±5℃錫溶液中﹐經2±0.5秒后取出﹐二極管兩端有95%以上附著新錫﹐檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)新澳门新葡萄娱乐。此為必檢項目。

　　浸助焊劑后﹐將光電耦合器浸入235±5℃錫溶液中﹐經2±0.5秒取出﹐光電耦合器PIN腳95%以上附著新錫﹐檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)。此為材料必檢項目。

　　用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗IC﹐無裂痕﹑殘缺﹑本體表面標記的正確性(1腳位)等外觀不良現象。

　　用游標卡尺根據廠商規格檢驗光電耦合器本體長度﹑寬度﹑腳長度﹑腳間距﹑相對二腳間之距離﹑腳厚度﹐測試要點如材料規格書所示﹐測試結果應在規定公差范圍內。

　　●用兩個萬用表1K檔。分別接1﹑2﹑3﹑4腳位(正向連接)﹐在回路中串上發光管用以顯示﹐可在萬用表上讀數0.6K左右﹐即OK。(此時發光管發光。)

　　用游標卡尺根據廠商規格檢驗IC本體長度﹑寬度﹑腳長度﹑腳間距﹑相對二腳間之距離﹑腳厚度﹐測試要點如材料規格書所示﹐測試結果應在規定公差范圍內。

　　浸助焊劑后﹐將穩壓管浸入235±5℃錫溶液中﹐經2±0.5秒取出﹐穩壓管PIN腳95%以上附著新錫﹐檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)。此為必檢項目。

　　●將電晶體浸入260±5℃錫爐中﹐經10秒后取出﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐測量hFE值是否在規格范圍以內﹐表面無異常變化。

　　●將電晶體過Air Reflow【2600/-5℃﹐時間為10~30秒】﹐總程6分鐘後取出﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐表面無異常變化﹐此為材料必檢項目。

　　浸助焊劑后﹐將電晶體浸入235±5℃錫溶液中﹐經2±0.5秒取出﹐電晶體PIN腳95%以上附著新錫﹐檢測使用儀器XFra Baidu bibliotekJ-4400(顯微鏡)。此為材料必檢項。

　　用游標卡尺根據廠商規格檢驗穩壓管本體長度﹑寬度﹑腳長度﹑腳間距﹑相對二腳間之距離﹑腳厚度﹐測試要點如材料規格書所示﹐測試結果應在規定公差范圍內。

　　假若VCE耐壓為60V左右﹐VCBO耐壓為120V左右﹐用GPI-735&GPR-7510HD(直流高壓機&電源供給器)設定為60V﹐紅表筆接c極﹐黑表筆接e極﹐經10秒后﹐三極管不被擊穿。同樣方法測試VCBO,電壓設定為120V﹐紅表筆接c極﹐黑表筆接b極﹐經10秒后﹐三極管不被擊穿新澳门新葡萄娱乐。